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IRFSL4227PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFSL4227PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 98nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 85 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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