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IRFSL3207

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFSL3207
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 260nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7600pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

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