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IRFS59N10DPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFS59N10DPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 35.4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 114nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2450pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 59A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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