Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRFP4668PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFP4668PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.7mOhm @ 81A, 10V
Verlustleistung (Max.) 520W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247AC
Gate Charge (Qg) (Max.) 241nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 10720pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 67545 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.57 $6.44 $6.31
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP200N25N3GXKSA1
Infineon Technologies
$6.46
IRFP4568PBF
Infineon Technologies
$6.29
IPP110N20N3GXKSA1
Infineon Technologies
$6.15
STW11NK90Z
STMicroelectronics
$6.06
IXTH200N10T
IXYS
$6.02