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IRFL4105PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFL4105PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 660pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

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