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IRFI4229PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFI4229PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 46mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 46W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4480pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2677 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.14 $3.08 $3.02
Minimale: 1

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