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IRFHM830DTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFHM830DTRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.3mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1797pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 79 pcs

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