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IRFHM792TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRFHM792TRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Tape & Reel (TR)
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.3W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Basis-Teilenummer IRFHM792PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 195mOhm @ 2.9A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 251pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.3A

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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