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IRFHM3911TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFHM3911TRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 115mOhm @ 6.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 26nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 760pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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