IRFHM3911TRPBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFHM3911TRPBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 10A PQFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 115mOhm @ 6.3A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.8W (Ta), 29W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PQFN (3x3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 26nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 760pF @ 50V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.2A (Ta), 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 80 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.29 | $0.28 | $0.28 |
Minimale: 1