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IRFH8311TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH8311TRPBF
Beschreibung: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.1mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 66nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4960pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 32A (Ta), 169A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 11832 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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