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IRFH5220TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH5220TRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VQFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 99.9mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 30nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1380pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.8A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 67 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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