IRFH5110TR2PBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRFH5110TR2PBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 72nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3152pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 11A (Ta), 63A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 79 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1