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IRFH5110TR2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH5110TR2PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.4mOhm @ 37A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Ta), 114W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 72nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3152pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta), 63A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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