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IRFH5020TR2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH5020TR2PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 7.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 54nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2290pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

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