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IRFH4255DTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRFH4255DTRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 31W, 38W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Basis-Teilenummer IRFH4255
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1314pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 64A, 105A

Auf Lager 68 pcs

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