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IRFH4209DTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH4209DTRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FASTIRFET™, HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 74nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4620pF @ 13V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 44A (Ta), 260A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 95 pcs

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