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IRFH3707TR2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFH3707TR2PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 12.4mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.1nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 755pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta), 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 65 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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