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IRFB7437GPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFB7437GPBF
Beschreibung: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 225nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 7330pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 94 pcs

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