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IRFB42N20DPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFB42N20DPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 26A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3430pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1716 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.71 $2.66 $2.60
Minimale: 1

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