Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRFB4227PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFB4227PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 24mOhm @ 46A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 98nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 2266 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.86 $2.80 $2.75
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
$0
SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$2.85
FDP51N25
ON Semiconductor
$2.85
SUM110P04-04L-E3
Vishay / Siliconix
$0
IRFB4310PBF
Infineon Technologies
$2.82