Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRFB23N20DPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFB23N20DPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1960pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 673 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.81 $1.77 $1.74
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPP032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
$1.81
IRL640SPBF
Vishay / Siliconix
$1.8
DMT6004SCT
Diodes Incorporated
$1.8
R8005ANX
ROHM Semiconductor
$1.8