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IRFB23N20D

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFB23N20D
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 86nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1960pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 73 pcs

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