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IRF8313TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF8313TRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRF8313PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 760pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9.7A

Auf Lager 10805 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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