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IRF7855PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7855PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9.4mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1560pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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