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IRF7807VD2PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7807VD2PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FETKY™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 14nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V

Auf Lager 67 pcs

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