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IRF7769L2TR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7769L2TR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric L8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.5mOhm @ 74A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET L8
Gate Charge (Qg) (Max.) 300nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 11560pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 375A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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