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IRF7701

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7701
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5050pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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