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IRF7665S2TR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7665S2TR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric SB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 62mOhm @ 8.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET SB
Gate Charge (Qg) (Max.) 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 515pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 64 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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