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IRF7492TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF7492TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 79mOhm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 59nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1820pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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