IRF7492TR
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF7492TR |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 79mOhm @ 2.2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 59nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1820pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1