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IRF7379QTRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF7379QTRPBF
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 2.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRF7379QPBF
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 520pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.8A, 4.3A

Auf Lager 91 pcs

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