Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IRF7341PBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IRF7341PBF |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| Leistung - Max | 2W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Basis-Teilenummer | IRF7341PBF |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 4.7A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 36nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 740pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A |
Auf Lager 96 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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