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IRF7309PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF7309PBF
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Tube
FET-Funktion Standard
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.4W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRF7309PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 520pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A, 3A

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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