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IRF7101TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRF7101TRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRF7101PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 320pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.5A

Auf Lager 7660 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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