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IRF6785MTR1PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6785MTR1PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric MZ
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 4.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ MZ
Gate Charge (Qg) (Max.) 36nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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