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IRF6720S2TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6720S2TRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric S1
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.7W (Ta), 17W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET S1
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1140pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 77 pcs

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