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IRF6711STR1PBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRF6711STR1PBF |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric SQ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 3.8mOhm @ 19A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DIRECTFET™ SQ |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1810pF @ 13V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Ta), 84A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 92 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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