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IRF6710S2TR1PBF
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IRF6710S2TR1PBF |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric S1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.9mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta), 15W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | DIRECTFET S1 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 13nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1190pF @ 13V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Ta), 37A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 69 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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