IRF6645TRPBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IRF6645TRPBF |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric SJ |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 35mOhm @ 5.7A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DIRECTFET™ SJ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 20nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 890pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.7A (Ta), 25A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 23295 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1