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IRF6608

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF6608
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric ST
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 9mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DIRECTFET™ ST
Gate Charge (Qg) (Max.) 24nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2120pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 98 pcs

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