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IRF60DM206

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF60DM206
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 130A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DirectFET™ Isometric ME
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.9mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.) 96W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DirectFET™ Isometric ME
Gate Charge (Qg) (Max.) 200nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6530pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 76 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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