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IRF5852
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | IRF5852 |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| Verpackung | Tube |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 960mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 90mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 6-TSOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 6nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 400pF @ 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.7A |
Auf Lager 64 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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