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IRF5802TR

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF5802TR
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket Micro6™(TSOP-6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 6.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 88pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 88 pcs

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