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IRF40H210

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF40H210
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®, StrongIRFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 152nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5406pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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