Image is for reference only , details as Specifications

IRF3808STRRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF3808STRRPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 7mOhm @ 82A, 10V
Verlustleistung (Max.) 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 220nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5310pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 106A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.71 $1.68 $1.64
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPI90N06S4L04AKSA2
Infineon Technologies
$1.71
FDBL86363-F085
ON Semiconductor
$0
IPI120N04S401AKSA1
Infineon Technologies
$1.71
IPI320N20N3GAKSA1
Infineon Technologies
$1.7
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
$1.7