Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IRF3515L

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF3515L
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 107nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2260pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 73 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRF3415L
Infineon Technologies
$0
IRF3315L
Infineon Technologies
$0
IRF3205L
Infineon Technologies
$0
IRF2807L
Infineon Technologies
$0
IRF1404L
Infineon Technologies
$0