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IRF2805PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF2805PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.7mOhm @ 104A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 230nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5110pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1613 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.20 $2.16 $2.11
Minimale: 1

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