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IRF1902GPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF1902GPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 7.5nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 310pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.2A (Ta)

Auf Lager 70 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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