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IRF1405PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF1405PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 169A TO-220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.3mOhm @ 101A, 10V
Verlustleistung (Max.) 330W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 260nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5480pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 169A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 4120 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.43 $2.38 $2.33
Minimale: 1

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