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IRD3CH9DB6
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | IRD3CH9DB6 |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Kapazität - Vr, F | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Reverse Recovery Time (trr) | 154ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 200nA @ 1200V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 10A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -40°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 2.7V @ 10A |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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