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IPW65R190CFDFKSA2

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R190CFDFKSA2
Beschreibung: HIGH POWER_LEGACY
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CFD2
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 700µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 151W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3-41
Gate Charge (Qg) (Max.) 68nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1850pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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