Image is for reference only , details as Specifications

IPW65R110CFDAFKSA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPW65R110CFDAFKSA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.3mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Verlustleistung (Max.) 277.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 118nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3240pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 31.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 395 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$7.16 $7.02 $6.88
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STW34N65M5
STMicroelectronics
$10.45
R6076MNZ1C9
ROHM Semiconductor
$16.86
SCT3080ALHRC11
ROHM Semiconductor
$16.73
STWA57N65M5
STMicroelectronics
$16.67
DMN2075U-7
Diodes Incorporated
$0.39